半导体干法刻蚀技术:原子层工艺

集成电路制造向几纳米节工艺的发展，需要具有原子级保真度的刻蚀技术，原子层刻蚀（ALE）技术应运而生。《半导体干法刻蚀技术：原子层工艺》主要内容有：热刻蚀、热各向同性ALE、自由基刻蚀、定向ALE、反应离子刻蚀、离子束刻蚀等，探讨了尚未从研究转向半导体制造的新兴刻蚀技术，涵盖了定向和各向同性ALE的全新研究和展。《半导体干法刻蚀技术：原子层工艺》以特定的刻蚀应用作为所讨论机制的示例，例如栅极刻蚀、触孔刻蚀或3D NAND通道孔刻蚀，有助于对所有干法刻蚀技术的原子层次理解。 《半导体干法刻蚀技术：原子层工艺》概念清晰，资料丰富，内容新颖，可作为微电子学与固体电子学、电子科学与技术、集成电路科学与工程等专业的研究生和高年级本科生的教学参考书，也可供相关领域的工程技术人员参考。
【推荐语】
刻蚀是芯片制造核心工艺，本书内容源自全球第三大芯片设备提供商、全球大刻蚀设备提供商——美国泛林集团高管。书中详细介绍了各种刻蚀技术，例如热刻蚀、热各向同性原子层刻蚀、自由基刻蚀、定向原子层刻蚀、反应离子刻蚀和离子束刻蚀等。通过对本书内容的深学习，能够从原子级层面来深理解刻蚀技术，从而实现为现有和新兴的半导体技术发特定的解决方案。本书是理解刻蚀技术及其应用的实用指南。
【作者】
Thorsten Lill博士，美国泛林集团（Lam Research）新兴刻蚀技术和系统事业部副总裁。他在德国弗莱堡大学获得物理学博士学位，并在美国阿贡国家实验室行博士后研究。他在该领域发表了88篇文章，拥有89项专利。