氧化锌半导体材料掺杂技术与应用

本书介绍了氧化锌(ZnO)的掺杂技术、性能及其应用。全书共分七章，章概述了ZnO的结构、基本性质与制备方法，第二章介绍了ZnO的本征缺陷和非故意掺杂，第三至第六章分别介绍了ZnO的n型掺杂、p型掺杂、合金掺杂、稀磁掺杂等各种掺杂技术及其应用，第七章阐述了ZnO半导体器件的相关研究。 本书在内容上宽度和深度相结合，系统介绍了ZnO的基本知识，同时对ZnO研究的热领域行了详细而深的探讨。本书理论和实践相结合，以作者多年的研究成果为基础，重介绍了ZnO半导体薄膜材料的掺杂技术、物理基础及其应用，对ZnO纳米材料的相关内容也有所涉及，叙述了ZnO研究和发应用领域的新概念、新展、新成果和新技术。 本书可供从事半导体材料、薄膜材料、纳米材料、功能材料及其相关器件研究等领域的科研人员、工程技术人员参考，也可作为高等院校材料、物理、化学、电子等相关专业师生的参考书籍。
【作者】
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院(MIT)；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年浙江大学材料系