第三代半导体材料发展态势分析

按照国家科技图书文献中心为国家“十三五”规划中的国家重研发计划展科技信息支撑和保障服务的战略部署，结合“战略性先电子材料”重专项及中国科学院文献情报中心情报分析与服务特色和优势，本书遴选了第三代半导体材料领域作为研究对象。本书调研了主要科技发达国家制定的第三代半导体材料相关科技政策；对以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（ZnO）、金刚石为代表的关键材料领域展研发技术专利、相关行业产业化应用及市场调研和分析；嵌机器学习方法，突破传统情报研究与服务范式，重对碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）行了热研究方向判断和分析，以期为我国第三代半导体材料及相关技术发展提供参考，为突破摩尔定律极限、集成电路“卡脖子”技术提供一个发现问题、解决问题的视角。
【推荐语】
第三代半导体材料已成为当前国际光电信息技术领域的战略制高。在美国、欧洲、日本等科技发达国家和地区高度重视并已部署相关计划抢占战略制高的当下，有必要全面了解目前世界科技强国在第三代半导体材料领域的规划布局，客观分析全球第三代半导体材料领域的研究格局，为我国第三代半导体材料领域的研究和应用提供参考。
【作者】
第三代半导体材料发展态势分析项目组隶属于战略前沿科技团队，是中国科学院文献情报中心情报研究团队之一。该团队长期以来围绕半导体行业（集成电路工艺及装备、先信息材料及技术、后摩尔时代的交叉融合等）展行业发展战略、政策以及技术态势与技术竞争格局分析。在该领域的主要情报研究产品包括《集微技术信息简报》（双月）、《年度半导体器件类公/公告专利分析》（系列）、《集成电路关键工艺技术分析》（系列）、《集成电路光刻技术分析》（系列）等。面向该行业管理人员、科研人员、科技管理者以及规划制定者提供全面、及时、高效的情报研究支撑服务。