三维集成电路制造技术

目前，集成电路器件特征尺寸越来越近物理极限，集成电路技术已朝着三维集成、提升性能/功耗比的新技术路线发展。本书立足于全球集成电路技术发展的趋势和技术路线，结合中国科学院微电子研究所积累的研究发经验，系统介绍了三维集成电路制造工艺、FinFET和纳米环栅器件、三维NAND闪存、新型存储器件、三维单片集成、三维封装等关键核心技术。 本书注重技术的前瞻性和内容的实用性，可供集成电路制造领域的科研人员和工程技术人员阅读使用，也可作为高等学校相关专业的教学用书。
【作者】
王文武博士，现任中国科学院微电子研究所副所长、研究员、博士生导师。2006年于日本东京大学获得工学博士学位。长期致力于集成电路先工艺与器件技术研究，带领团队参与了22 nm、14 nm、5 nm工艺集成电路先导技术研发工作，获中国科学院杰出科技成就奖（研究集体）、北京市科学技术一等奖、中国电子信息科技创新团队奖、国务院政府特殊津贴等科技奖励和荣誉。先后主持多项科研任务，包括国家科技重大专项、863计划、国家自然科学基金重大科研仪器研制/重/面上等项目（课题）。在IEEE EDL/TED、APL等国际权威期刊、会议上发表学术论文200多篇，授权发明专利57项。担任国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项专家组成员，国家重研发计划“重大科学仪器设备发”重专项专家组成员，智能传感功能材料国家重实验室学术委员会委员，北京集成电路装备创新中心专家委员会特聘专家等。