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前言
主要符号表
第1章 半导体器件基本方程
1.1 半导体器件基本方程的形式
1.2 基本方程的简化与应用举例
本章参考文献
第2章 PN结
2.1 PN结的平衡状态
2.2 PN结的直流电流电压方程
2.3 准费米能级与大注入效应
2.4 PN结的击穿
2.5 PN结的势垒电容
2.6 PN结的交流小信号特性与扩散电容
2.7 PN结的开关特性
2.8 SPICE中的二极管模型
习题二
本章参考文献
第3章 双极结型晶体管
3.1 双极结型晶体管基础
3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数［1～11］
3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数
3.4 双极结型晶体管的直流电流电压方程
3.5 双极结型晶体管的反向特性
3.6 基极电阻
3.7 双极结型晶体管的功率特性
3.8 电流放大系数与频率的关系
3.9 高频小信号电流电压方程与等效电路
3.10 功率增益和最高振荡频率
3.11 双极结型晶体管的开关特性
3.12 SPICE中的双极晶体管模型
3.13 双极结型晶体管的噪声特性
习题三
本章参考文献
第4章 绝缘栅型场效应晶体管
4.1 MOSFET基础
4.2 MOSFET的阈电压
4.3 MOSFET的直流电流电压方程
4.4 MOSFET的亚阈区导电
4.5 MOSFET的直流参数与温度特性
4.6 MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性
4.7 MOSFET的噪声特性［8］
4.8 短沟道效应
4.9 MOSFET的发展方向
4.10 SPICE中的MOSFET模型
习题四
本章参考文献
第5章 半导体异质结器件
5.1 半导体异质结
5.2 高电子迁移率晶体管（HEMT）
5.3 异质结双极晶体管（HBT）
习题五
本章参考文献
附录A 晶体管设计中的一些常用图
A.1 扩散结势垒区宽度xd与势垒电容CT和外加电压V的关系曲线
A.2 室温下硅电阻率随施主或受主浓度的变化
A.3 扩散结的耗尽区在扩散层一侧所占厚度xCB对耗尽区总厚度xC之比（xCB/xC）与外加电压V的关系曲线
A.4 硅中扩散层的电导率曲线
A.5 硅中载流子的迁移率与扩散系数曲线
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