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作者
前言
Session 1 Introduction to Semiconductor
1.1 What is Semiconductor
1.2 Classification of Semiconductor
Reading Materials
Session 2 Crystal Structure
2.1 Primitive Cell and Crystal Plane
2.2 Atomic Bonding
Reading Materials
Session 3 Band Model
3.1 Introduction to Quantum Mechanics
3.2 Band
3.3 Effective Mass Theory
Reading Materials
Session 4 The Semiconductor in Equilibrium
4.1 Charge Carriers in Semiconductor
4.2 Intrinsic Semiconductor
4.3 Extrinsic Semiconductor
Reading Materials
Session 5 Carrier Transport
5.1 Overview of Carrier Transport
5.2 Low Field Transport
5.3 High Field Transport
5.4 Diffusion Current
Session 6 Nonequilibrium Excess Carriers in Semiconductor
6.1 Recombination
6.2 Minority Carrier Lifetime
6.3 Ambipolar Transport
Reading Materials
Session 7 The pn Junction（Ⅰ）
7.1 Introduction
7.2 Basic Structure of the pn Junction
7.3 Energy Bands for a pn Junction
7.4 Ideal Current-Voltage Relationship
7.5 Characteristics of a Practical Diode
Reading Materials
Session 8 The pn Junction（Ⅱ）
8.1 Breakdown in pn Junction
8.2 Small-Signal Diffusion Resistance of the pn Junction
8.3 Junction Capacitance
8.4 Diffusion or Storage Capacitance
8.5 Diode Transients
8.6 Circuit Models for Junction Diodes
Reading Materials
Session 9 Metal-Semiconductor Contacts
9.1 Schottky Contacts
9.2 Ohmic Contacts
Reading Materials
Session 10 Heterojunctions
10.1 Strain and Stress at Heterointerfaces
10.2 Heterojunction Materials
10.3 Energy-Band Diagrams
Reading Materials
Session 11 The Bipolar Junction Transistor（Ⅰ）
11.1 The Bipolar Junction Transistor Construction
11.2 Transistor Action
11.3 Nonideal Effects
11.4 Base Resistance
Reading Materials
Session 12 The Bipolar Junction Transistor（Ⅱ）
12.1 Breakdown Voltage
12.2 Frequency Limits of BJT
12.3 The Schottky-Clamped Transistor
12.4 Small-signal Transistor Model
Reading Materials
Session 13 Basics of MOSFETs
13.1 Introduction
13.2 General Characteristics of a MOSFET
13.3 MOS System
13.4 Work Function Differences
13.5 Flat-Band Voltage
13.6 Threshold Voltage
Reading Materials
Session 14 Nonideal Effects of MOSFETs
14.1 Introduction
14.2 Effective Mobility
14.3 Velocity Saturation
14.4 Channel-length Modulation
14.5 DIBL
14.6 Hot-carrier Effect
14.7 GIDL
Reading Materials
Session 15 Advanced MOSFET Devices
15.1 Introduction
15.2 Channel Doping Profile
15.3 Gate Stack
15.4 Source/Drain Design
15.5 Schottky-Barrier Source/Drain
15.6 Raised Source/Drain
15.7 SOI
15.8 Three Dimensional Structure
Reading Materials
Session 16 Introduction to Integrated Circuits
16.1 Introduction
16.2 Size and Complexity of Integrated Circuits
16.3 Semiconductor Device for Integrated Circuits
16.4 IC Design Process
Reading Materials
Session 17 Analog Integrated Circuits Design
17.1 Introduction
17.2 Analog Signal Processing
17.3 CMOS Technology
17.4 Amplifiers
17.5 Differential Amplifiers
17.6 Operational Amplifiers
17.7 Characterization of Op Amps
Reading Materials
Session 18 Digital Integrated Circuits Design
18.1 Introduction
18.2 The Static CMOS Inverter
18.3 Designing Combinational Logic Gates in CMOS
Reading Materials
Session 19 Radio Frequency Integrated Circuits Design
19.1 Introduction
19.2 RF System Performance Metrics
19.3 RF Transceiver Architectures
19.4 RF Passive Component
19.5 Receiver
19.6 Frequency Synthesizer
19.7 Transmitter
Reading Materials
Session 20 Simulation and Verification
20.1 Introduction
20.2 SPICE Circuit Simulator
20.3 Circuit Design Automation with Verilog
20.4 Verification
Reading Materials
Session 21 Introduction to the SemiconductorTechnology（Ⅰ）
21.1 The Development of Semiconductor Technology
21.2 Wafer Fabrication
Reading Materials
Session 22 Introduction to the Semiconductor Technology（Ⅱ）
22.1 Assembly
22.2 Metrology
Reading Materials
Session 23 Bipolar Technology and GaAs Digital Logic Process
23.1 Bipolar Technology
23.2 GaAs Digital Logic Process
Reading Materials
Session 24 CMOS Technology
24.1 CMOS Fabrication Sequence
24.2 Twin Well and Retrograde Well
24.3 Isolation
24.4 Structures that Reduce the Drain Field
24.5 Gate Engineering
Reading Materials
Session 25 Reliability
25.1 Introduction
25.2 Failure Modes
Reading Materials
参考译文
第1讲 半导体概述
1.1 什么是半导体
1.2 半导体的分类
第2讲 晶体结构
2.1 原胞和晶面
2.2 原子价键
第3讲 能带模型
3.1 量子力学简介
3.2 能带
3.3 有效质量理论
第4讲 平衡半导体
4.1 半导体中的带电载流子
4.2 本征半导体
4.3 非本征半导体
第5讲 载流子输运
5.1 载流子输运概要
5.2 低场输运
5.3 强场输运
5.4 扩散电流
第6讲 半导体中的非平衡过剩载流子
6.1 复合
6.2 少数载流子寿命
6.3 双极输运
第7讲 pn结（Ⅰ）
7.1 概述
7.2 pn结的基本结构
7.3 pn结的能带图
7.4 理想电流-电压关系
7.5 实际二极管特性
第8讲 pn结（II）
8.1 pn结击穿
8.2 pn结的小信号扩散电阻
8.3 结电容
8.4 扩散电容（存储电容）
8.5 二极管瞬态特性
8.6 pn结二极管的电路模型
第9讲 金属—半导体接触
9.1 肖特基接触
9.2 欧姆接触
第10讲 异质结
10.1 异质界面的应变与应力
10.2 异质结材料
10.3 能带图
第11讲 双极晶体管（I）
11.1 双极晶体管结构
11.2 晶体管作用
11.3 非理想效应
11.4 基区电阻
第12讲 双极晶体管（II）
12.1 击穿电压
12.2 双极晶体管的频率特性
12.3 肖特基钳位晶体管
12.4 晶体管的小信号模型
第13讲 MOSFET基础
13.1 引言
13.2 MOSFET的一般特征
13.3 MOS系统
13.4 功函数差
13.5 平带电压
13.6 阈值电压
第14讲 MOSFET的非理想效应
14.1 引言
14.2 有效迁移率
14.3 速度饱和
14.4 沟道调制效应
14.5 漏致势垒降低
14.6 热电子效应
14.7 栅感应漏极泄漏
第15讲 先进的MOSFET器件
15.1 引言
15.2 沟道掺杂分布
15.3 栅叠层
15.4 源/漏设计
15.5 肖特基源/漏
15.6 提升的源/漏
15.7 SOI（绝缘层上的硅）
15.8 三维结构
第16讲 集成电路简介
16.1 概述
16.2 集成电路的面积和复杂度
16.3 集成电路中的半导体器件
16.4 集成电路设计过程
第17讲 模拟集成电路设计
17.1 概述
17.2 模拟信号处理
17.3 CMOS工艺
17.4 放大器
17.5 差分放大器
17.6 运算放大器
17.7 运放的特点
第18讲 数字集成电路
18.1 介绍
18.2 静态CMOS反相器
18.3 CMOS组合逻辑门的设计
第19讲 射频集成电路设计
19.1 概述
19.2 射频系统的性能指标
19.3 射频收发机的结构
19.4 无源射频元件
19.5 低噪声放大器
19.6 频率合成器
19.7 发射机
第20讲 仿真与验证
20.1 简介
20.2 SPICE电路仿真器
20.3 使用Verilog进行电路的自动设计
20.4 验证
第21讲 半导体技术简介（Ⅰ）
21.1 半导体技术的发展
21.2 晶片制造
第22讲 半导体技术简介（Ⅱ）
22.1 组装
22.2 测量
第23讲 双极技术和砷化镓数字逻辑工艺
23.1 双极技术
23.2 砷化镓数字逻辑工艺
第24讲 CMOS工艺
24.1 CMOS制造流程
24.2 双阱和倒掺杂阱
24.3 隔离
24.4 降低漏端电场的结构
24.5 栅工程
第25讲 可靠性
25.1 概述
25.2 失效模型
参考文献
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