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前言
主要常用符号说明
第1章 半导体物理基础
1.1 半导体晶体结构和缺陷
1.2 半导体的能带与杂质能级
1.3 半导体中的平衡与非平衡载流子
1.4 半导体中载流子的输运现象
1.5 半导体表面
思考题和练习题
第2章 PN结
2.1 平衡PN结
2.2 PN结的直流特性
2.3 PN结空间电荷区的电场和宽度
2.4 PN结的击穿特性
2.5 PN结的电容效应
2.6 PN结的开关特性
2.7金属-半导体的整流接触和欧姆接触
思考题与习题
第3章 双极型晶体管
3.1 晶体管的基本结构、制造工艺和杂质分布
3.2 晶体管的电流放大原理
3.3 晶体管的直流伏安特性曲线
3.4 晶体管的反向电流与击穿特性
3.5 晶体管的频率特性
3.6 晶体管的功率特性
3.7 晶体管的开关特性
3.8 晶体管的设计
思考题和习题
第4章 MOS场效应晶体管
4.1 MOS场效应晶体管的基本结构、工作原理和输出特性
4.2 MOS场效应晶体管的阈值电压
4.3 MOS场效应晶体管的直流电流-电压特性
4.4 MOS结构的电容-电压特性
4.5 MOS场效应管的交流小信号参数和频率特性
4.6 MOS场效应晶体管的开关特性
4.7 MOS场效应晶体管的二级效应
4.8 MOS场效应晶体管温度特性
思考题与习题
第5章 结型场效应晶体管及金属-半导体场效应晶体管
5.1 JFET及MESFET的结构、工作原理和分类
5.2 JFET的电流-电压特性
5.3 JFET的直流和交流小信号参数
5.4 JFET的高频参数
5.5 短沟道JFET和MESFET
思考题与习题
第6章 其他常用半导体器件
6.1 功率MOS场效应晶体管
6.2 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
6.3 半导体光学效应及光电二极管
6.4 发光二极管
6.5 半导体激光器
思考题与习题
附录
参考文献
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