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内容简介
前言
第1章 绪论
1.1 芯片产业概况
1.2 影响芯片产业走向的关键因素
1.2.1 生态体系构建
1.2.2 芯片技术研发
1.2.3 工艺制程
1.2.4 用户与伙伴
1.2.5 政策扶持
1.3 我国移动互联网芯片发展的机遇与挑战
1.3.1 后来居上的创新机遇
1.3.2 未来升级的挑战和短板
第2章 移动互联网主要终端芯片
2.1 基带处理器
2.1.1 基带芯片
2.1.2 射频芯片
2.2 应用处理器
2.2.1 CPU
2.2.2 GPU
2.2.3 AI芯片
2.2.4 电源管理芯片
2.3 存储芯片
2.4 MEMS芯片
第3章 移动互联网芯片主要技术体系
3.1 芯片设计
3.1.1 IP核/Chiplet与SoC设计
3.1.2 指令集
3.1.3 微架构
3.1.4 EDA工具
3.2 芯片制造的制程、设备与材料
3.2.1 先进制程工艺
3.2.2 设备和相关材料
3.3 芯片封装与测试
3.3.1 SiP技术
3.3.2 多芯片fcCSP封装
3.3.3 3D封装
3.3.4 扇出式封装
本章参考文献
第4章 MEMS微波功率传感器芯片设计与模拟研究
4.1 微波功率传感器及其应用
4.2 国内外发展现状
4.3 微波功率传感器的设计
4.3.1 微波功率传感器的原理与理论
4.3.2 微波功率传感器的基本单元与性能
4.3.3 微波功率传感器的结构与材料
4.3.4 微波功率传感器的制造工艺
4.4 仿真软件简介
4.5 微波功率传感器的仿真
4.6 本章小结
本章参考文献
第5章 移动互联网芯片先进封装可靠性检测研究
5.1 发展现状
5.1.1 国内现状
5.1.2 国外现状
5.2 试验样本及参照标准介绍
5.2.1 TSV技术类型
5.2.2 TSV芯片结构
5.2.3 TSV芯片制造工艺
5.3 可靠性试验概述
5.3.1 可靠性定义
5.3.2 目的
5.3.3 分类
5.4 可靠性试验标准介绍
5.4.1 JESD22-A113E
5.4.2 JESD22-A104E
5.4.3 JESD22-A118E
5.4.4 JESD22-A102E
5.4.5 IPC/JEDECJ-STD-020.1
5.4.6 GJB 548B—2005
5.4.7 GJB 7400—2011
5.5 可靠性试验方法
5.5.1 试验仪器
5.5.2 试验内容及参数确定
5.6 表征方法
5.6.1 形状分析激光显微镜
5.6.2 X射线（X-Ray）检测仪分析
5.6.3 超声波扫描电子显微镜（C-SAM）分析
5.6.4 场发射扫描电子显微镜（SEM）分析
5.6.5 X射线能谱仪（EDS）分析
5.6.6 聚焦离子束（FIB）技术
5.7 试验数据及图像分析
5.7.1 形状分析激光显微镜分析结果
5.7.2 初始芯片A、B
5.7.3 PC试验后芯片C、D
5.7.4 TC试验后芯片E、F
5.7.5 UHAST试验后芯片G、H
5.7.6 PCT试验后芯片I、J
5.8 X-Ray检测仪分析结果
5.9 C-SAM分析结果
5.10 SEM与EDS分析结果
5.11 本章小结
本章参考文献
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