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第3届电力电子新技术系列图书编辑委员会
电力电子新技术系列图书序言
序 PREFACE
前言 PREFACE
第1章 功率半导体器件基础
1.1 Si功率器件
1.2 SiC功率器件
参考文献
延伸阅读
第2章 SiC MOSFET参数的解读、测试及应用
2.1 最大值
2.2 静态特性
2.3 动态特性
2.4 参数测试
2.5 FOM值
2.6 器件建模与仿真
2.7 器件损耗计算
参考文献
延伸阅读
第3章 双脉冲测试技术
3.1 功率变换器换流模式
3.2 双脉冲测试基础
3.3 测量挑战
3.4 双脉冲测试设备
参考文献
延伸阅读
第4章 SiC器件与Si器件特性对比
4.1 SiC MOSFET和Si SJ-MOSFET
4.2 SiC MOSFET和Si IGBT
4.3 SiC二极管和Si二极管
延伸阅读
第5章 高di/dt的影响与应对——关断电压过冲
5.1 关断电压过冲的影响因素
5.2 应对措施1——回路电感控制
5.3 应对措施2——去耦电容
5.4 应对措施3——降低关断速度
参考文献
延伸阅读
第6章 高dv/dt的影响与应对——crosstalk
6.1 crosstalk基本原理
6.2 关键影响因素
6.3 应对措施1——米勒钳位
6.4 应对措施2——驱动回路电感控制
参考文献
延伸阅读
第7章 高dv/dt的影响与应对——共模电流
7.1 信号通路共模电流
7.2 应对措施1——高CMTI驱动芯片
7.3 应对措施2——高共模阻抗
7.4 应对措施3——共模电流疏导
7.5 差模干扰测量
参考文献
延伸阅读
第8章 共源极电感的影响与应对
8.1 共源极电感
8.2 对比测试方案
8.3 对开关过程的影响
8.4 对crosstalk的影响
参考文献
延伸阅读
第9章 驱动电路设计
9.1 驱动电路基础
9.2 驱动电阻取值
9.3 驱动电压
9.4 驱动级特性的影响
9.5 信号隔离传输
9.6 短路保护
参考文献
延伸阅读
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