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内容提要
前言
目录
第1章 绪论
1.1 单层二硫化钼（MoS_2） 研究进展
1.1.1 石墨烯
1.1.2 二硫化钼（MoS_2）
1.1.3 单层MoS_2缺陷吸附掺杂研究
1.2 单层硒化铟（InSe） 研究进展
1.2.1 InSe简介
1.2.2 InSe电子结构及性质
参考文献
第2章 理论方法
2.1 能带理论的三大近似
2.1.1 绝热近似
2.1.2 单电子近似（密度泛函理论）
2.1.3 周期性势场近似（布洛赫定理）
2.2 势与波函数的处理
2.2.1 平面波方法
2.2.2 原子轨道线性组合法
2.2.3 赝势方法
2.2.4 投影缀加波法
2.3 Kohn-Sham方程的自洽求解
参考文献
第3章 Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS_2结构和电子性质的影响
3.1 概述
3.2 计算模型和方法
3.3 结构及电子性质
3.3.1 Au_n团簇吸附于非缺陷单层MoS_2
3.3.2 Au团簇在单S空位MoS_2上的吸附
3.3.3 Au团簇在反位缺陷MoS_2上的吸附
参考文献
第4章 反位缺陷对单层MoS_2电子和磁学性质的影响
4.1 概述
4.2 计算方法和模型
4.3 电子及磁学性质
4.3.1 反位缺陷MoS_2的电子性质
4.3.2 3d过渡金属原子吸附对反位缺陷MoS_2的电子及磁学性质的影响
参考文献
第5章 非金属原子吸附对缺陷单层MoS_2磁学性质的影响
5.1 概述
5.2 计算模型和方法
5.3 吸附位置及磁学性质
5.3.1 非金属原子的吸附位置
5.3.2 非金属原子吸附对MoS_2磁学及电子性质的影响
参考文献
第6章 3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响
6.1 概述
6.2 计算模型和方法
6.3 稳定性、电学及磁学性质
6.3.1 几何结构和稳定性
6.3.2 电子结构
6.3.3 磁性
6.3.4 能带结构
参考文献
第7章 小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响
7.1 概述
7.2 计算模型和方法
7.3 吸附对电学及磁学性质的影响
7.3.1 CO吸附
7.3.2 H_2O吸附
7.3.3 NH_3吸附
7.3.4 N_2吸附
7.3.5 NO_2吸附
7.3.6 NO吸附
7.3.7 O_2吸附
参考文献
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