本书是在作者数年来对类石墨烯二维材料研究的基础上撰写而成，主要特色如下： 1. 石墨烷和砷烯是近几年来发现的新型类石墨烯二维材料，本书紧跟前沿系统探究了其电磁学性质和气敏特性。 2. 详细介绍了掺杂和缺陷对石墨烷和砷烯基底的电磁学性质的影响，为设计新型电磁学器件提供理论指导。 3. 对石墨烷和砷烯的气敏特性行了详细介绍，为新型气体传感器的发展奠定了理论基础。
售 价：¥
纸质售价：¥43.30购买纸书
6.7
温馨提示：数字商品不支持退换货，不提供源文件，不支持导出打印
为你推荐
内容简介
前言
第1章 绪论
1.1 石 墨 烷
1.2 砷 烯
参考文献
第2章 理论方法
2.1 密度泛函理论
2.1.1 绝热近似
2.1.2 Kohn⁃Sham方程
2.1.3 交换关联能泛函
2.2 布洛赫定理
2.3 平面波和赝势
2.3.1 平面波方法
2.3.2 赝势
参考文献
第3章 过渡金属掺杂含空位缺陷石墨烯的电磁学性质
3.1 概 述
3.2 计算方法与模型
3.3 结果与讨论
3.3.1 含空位缺陷的砷烯
3.3.2 过渡金属掺杂的空位缺陷砷烯
3.3.3 电学和磁学性质
3.4 本章总结
参考文献
第4章 过渡金属掺杂Stone-Wales缺陷砷烯的电磁学性质
4.1 概 述
4.2 计算方法与模型
4.3 结果与讨论
4.3.1 含Stones⁃Wales缺陷的砷烯
4.3.2 过渡金属掺杂的Stone⁃Wales缺陷砷烯
4.3.3 电学和磁学性质
4.4 本章总结
参考文献
第5章 含Stone-Wales缺陷砷烯吸附过渡金属原子的电磁学性质
5.1 概 述
5.2 计算方法与模型
5.3 结果与讨论
5.3.1 过渡金属原子在砷烯表面的吸附
5.3.2 电学与磁学性质
5.4 本章总结
参考文献
第6章 H缺陷对石墨烷吸附CO和NO气敏特性的影响
6.1 概 述
6.2 计算方法与模型
6.3 结果与讨论
6.3.1 CO和NO在完整和含H缺陷石墨烷表面的吸附特性
6.3.2 电学和磁学性质
6.4 本章总结
参考文献
第7章 B、N、S、A1掺杂的石墨烷吸附HCN的气敏特性
7.1 概 述
7.2 计算方法与模型
7.3 结果与讨论
7.3.1 掺杂石墨烷的结构
7.3.2 HCN分子的吸附特性
7.3.3 电磁学性质
7.4 本章总结
参考文献
第8章 Cr和Mn掺杂的石墨烷吸附H2CO的气敏特性
8.1 概 述
8.2 计算方法与模型
8.3 结果与讨论
8.3.1 H2CO分子的吸附特性
8.3.2 吸附体系的电子结构
8.4 本章总结
参考文献
第9章 Ni、Cu掺杂石墨烷吸附2,3,7,8-四氯二苯并对二 英（TCDD）的气敏特性
9.1 概 述
9.2 计算方法与模型
9.3 结果与讨论
9.3.1 Ni和Cu掺杂的石墨烷
9.3.2 TCDD分子的吸附特性
9.3.3 电磁学性质
9.4 本章总结
参考文献
第10章 缺陷和掺杂对砷烯吸附HCN气敏特性的影响
10.1 概 述
10.2 计算方法与模型
10.3 结果与讨论
10.3.1 缺陷对砷烯吸附HCN的影响
10.3.2 掺杂对砷烯吸附HCN的影响
10.4 本章总结
参考文献
买过这本书的人还买过
读了这本书的人还在读
同类图书排行榜
购物车
个人中心
