本书是作者近年来在对低维纳米材料的电子结构、磁特性以及自旋轨道耦合效应研究的基础上撰写而成，系统地介绍了二维III-VI族化合物的自旋相关特性。全书共分7章，主要内容包括：相关材料的研究背景及理论方法，二维NIIIXVI (N=Ga, In; X=S, Se, Te)单层Rashba自旋劈裂的电场调控，极性XABY (A, B = Ga, In; X≠Y = S, Se, Te)中显著的Rashba自旋劈裂，II型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制，InSe/MTe2 (M = Pd, Pt)范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性及InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。本书可供低维材料相关领域的科研技术人员学习使用，也可供高等院校相关专业师生参考。
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内容提要
前言
第1章 绪论
1.1 自旋电子学的发展
1.2 自旋轨道耦合作用
1.3 二维材料
参考文献
第2章 理论方法
2.1 能带理论的三大近似
2.2 势与波函数的处理
2.3 Kohn-Sham方程的自洽求解
参考文献
第3章 二维NⅢXⅥ（N=Ga，In；X=S，Se，Te）单层Rashba自旋劈裂的电场调控
3.1 概述
3.2 计算方法和模型
3.3 结果和讨论
参考文献
第4章 极性XABY（A，B=Ga，In；X≠Y=S，Se，Te）中显著的Rashba自旋劈裂
4.1 概述
4.2 计算方法与模型
4.3 结果与讨论
参考文献
第5章 Ⅱ型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制
5.1 概述
5.2 计算方法
5.3 结果和讨论
参考文献
第6章 InSe/MTe2（M=Pd，Pt）范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性
6.1 概述
6.2 计算方法
6.3 结果和讨论
参考文献
第7章 InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应
7.1 概述
7.2 计算方法
7.3 结果和讨论
参考文献
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