本书根据国内外近年来氧化物半导体特别是TiO2和WO3的氧空位调控及其光学、电学和磁学特性的研究展，结合作者的研究成果撰写而成。本书系统介绍了采用离子注、水热法和真空退火等技术方法，通过对TiO2和WO3氧空位缺陷的分布、浓度的调控，而实现对光学、电学和磁学性质的调制，获得更为理想的铁磁性能和表面增强拉曼光谱性能。对一步掌握稀磁半导体自旋电子学器件和表面增强拉曼光谱半导体基底材料的性能调控技术具有实际意义，可实现两种氧化物半导体的铁磁和表面增强拉曼光谱性能的显著提升，为其它材料改性和新材料设计提供依据。
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6.5
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内容提要
前言
第1章 绪论
1.1 氧化物半导体TiO2和WO3的概述
1.2 TiO2和WO3中的缺陷
1.3 富含氧空位缺陷TiO2和WO3的研究现状
参考文献
第2章 TiO2和WO3薄膜制备方法与实验方法
2.1 薄膜的制备方法
2.2 TiO2和WO3氧空位缺陷的调控方法
2.3 实验方法
2.4 第一性原理计算方法
小结
参考文献
第3章 离子注入诱导氧空位对WO3薄膜电导率的影响
3.1 概述
3.2 实验过程
3.3 结果与讨论
小结
参考文献
第4章 Ar+辐照WO3薄膜中氧空位增强的室温铁磁性
4.1 概述
4.2 实验过程
4.3 结果和讨论
小结
参考文献
第5章 W18O49纳米线中缺陷引起的铁磁性
5.1 概述
5.2 实验过程
5.3 结果和讨论
小结
参考文献
第6章 富含氧空位的W18O49纳米结构的光催化抗菌性能
6.1 概述
6.2 实验过程
6.3 结果和讨论
小结
参考文献
第7章 热处理制备具有高SERS灵敏度的稳定非化学计量WO3-x薄膜
7.1 概述
7.2 实验过程
7.3 结果和讨论
小结
参考文献
第8章 真空退火增强TiO2纳米棒薄膜的SERS灵敏度
8.1 概述
8.2 实验过程
8.3 结果和讨论
小结
参考文献
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