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内容简介
前言
第1章 半导体光催化技术基础
1.1 半导体光催化技术概述
1.1.1 光催化技术简介
1.1.2 光催化反应机理
1.1.3 光催化活性的影响因素
1.1.4 半导体光催化性能的提高途径
1.1.5 提高光催化材料分离的改性技术
1.1.6 光催化材料的发展趋势
1.2 银基半导体光催化剂的研究进展
1.2.1 金属银沉积和掺杂
1.2.2 卤化银及其复合
1.2.3 银基金属及多金属氧化物
1.2.4 银基非金属化合物及其复合
1.3 银基半导体光催化材料的应用
1.3.1 光催化在能源领域的应用
1.3.2 光催化在环境领域的应用
第2章 银掺杂法银基半导体光催化剂的制备、表征及其光催化性能研究
2.1 银掺杂法银基半导体光催化剂的制备
2.1.1 常用的银基半导体光催化剂制备方法
2.1.2 Ag修饰Bi2GeO5光催化剂的制备
2.2 银掺杂法银基半导体光催化剂的表征
2.2.1 常用的银基半导体光催化剂表征方法
2.2.2 Ag修饰Bi2GeO5光催化剂的表征
2.3 银基半导体光催化剂催化性能研究
2.3.1 常用的银基半导体光催化剂催化性能研究方法
2.3.2 Ag修饰Bi2GeO5光催化剂的性能研究
2.4 银基半导体光催化剂光催化机理研究
2.4.1 常用的银基半导体光催化剂催化机理研究方法
2.4.2 Ag修饰Bi2GeO5光催化剂光催化机理研究
第3章 卤化银光还原法银基半导体光催化剂的制备及其光催化性能研究
3.1 Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化剂
3.1.1 Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化剂的制备
3.1.2 Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化剂的表征
3.1.3 Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化剂的性能研究
3.1.4 Ag@AgCl/ZnCo2O4光催化剂机理研究
3.2 Ag@AgBr/Cu2O光催化剂
3.2.1 Ag@AgBr/Cu2O光催化剂的制备
3.2.2 Ag@AgBr/Cu2O光催化剂的表征
3.2.3 Ag@AgBr/Cu2O光催化剂的性能研究
3.2.4 Ag@AgBr/Cu2O光催化剂机理研究
3.3 Ag@AgI/TiO2光催化剂
3.3.1 Ag@AgI/TiO2光催化剂的制备
3.3.2 Ag@AgI/TiO2光催化剂的表征
3.3.3 Ag@AgI/TiO2光催化剂的性能研究
3.3.4 Ag@AgI/TiO2光催化剂机理研究
第4章 复合法银基半导体光催化剂的制备及其光催化性能研究
4.1 TiO2/Ag3PO4光催化剂
4.1.1 TiO2/Ag3PO4光催化剂的制备
4.1.2 TiO2/Ag3PO4光催化剂的表征
4.1.3 TiO2/Ag3PO4光催化剂的性能研究
4.2 Ag3PO4/CeO2光催化剂
4.2.1 Ag3PO4/CeO2光催化剂的制备
4.2.2 Ag3PO4/CeO2光催化剂的表征
4.2.3 Ag3PO4/CeO2光催化剂的性能研究
4.3 Bi2MoO6/Ag3PO4光催化剂
4.3.1 Bi2MoO6/Ag3PO4光催化剂的制备
4.3.2 Bi2MoO6/Ag3PO4光催化剂的表征
4.3.3 Bi2MoO6/Ag3PO4光催化剂的性能研究
参考文献
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