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内容提要
前言
第1章 集成电路简介
1.1 集成电路制造技术简介
1.2 集成电路芯片发展历程
1.3 集成电路的发展规律——摩尔定律
1.4 集成电路的分类
1.5 芯片制造工艺
1.6 芯片制造要求
第2章 硅片的制备
2.1 硅材料的性质
2.2 多晶硅的制备
2.3 单晶硅生长
2.4 切制硅片
2.5 硅片的缺陷
第3章 氧化
3.1 二氧化硅的结构
3.2 二氧化硅的物理化学性质
3.3 二氧化硅在集成电路中的作用
3.4 硅的热氧化
第4章 扩散
4.1 杂质的扩散类型
4.2 扩散系数
4.3 扩散掺杂
4.4 缺陷对扩散的影响
4.5 扩散方式
第5章 离子注入
5.1 离子注入的特点
5.2 离子注入原理
5.3 注入离子在靶中的分布
5.4 注入损伤
5.5 退火
5.6 离子注入设备与工艺
5.7 离子注入的其他应用
5.8 离子注入与热扩散比较
第6章 化学气相沉积CVD
6.1 CVD概述
6.2 CVD工艺原理
6.3 CVD工艺方法
6.4 薄膜的沉积
第7章 物理气相沉积PVD
7.1 PVD概述
7.2 真空系统及真空的获得
7.3 真空蒸镀
7.4 溅射
7.5 金属与铜互连引线
第8章 光刻
8.1 概述
8.2 基本光刻工艺流程
8.3 光刻掩模版
8.4 光刻胶
8.5 光学分辨率增强技术
8.6 紫外光曝光技术
第9章 刻蚀技术
9.1 概述
9.2 湿法刻蚀
9.3 干法刻蚀
第10章 外延
10.1 概述
10.2 气相外延工艺
10.3 分子束外延
10.4 其他外延方法
第11章 集成电路工艺与封装
11.1 隔离工艺
11.2 双极型集成电路工艺
11.3 CMOS电路工艺流程
11.4 芯片封装技术
参考文献
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