石墨烯薄膜制备电子书

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内容提要

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前言

英文缩写/全称/中文对照（按照字母顺序排列）

第1章　石墨烯简介

1.1　发展历程

1.2　结构与性质

1.3　分类及命名

1.4　结构表征与性能测量

1.4.1　光学显微分析

1.4.2　拉曼光谱分析

1.4.3　电子显微分析

1.4.4　扫描探针显微分析

1.4.5　其他表征技术

1.4.6　电学性能测量

1.5　石墨烯的应用

1.6　制备方法

参考文献

第2章　化学气相沉积技术

2.1　CVD的特征、分类及发展

2.1.1　CVD的特征

2.1.2　CVD的分类

2.1.3　CVD的发展

2.2　CVD反应原理

2.2.1　CVD反应过程

2.2.2　CVD反应类型

2.2.3　CVD的热、动力学原理

2.3　真空技术基础

2.3.1　真空的概念及分类

2.3.2　真空系统抽气过程定量描述

2.3.3　真空系统及真空泵

2.3.4　真空测量及真空检漏

2.4　CVD系统简介

2.4.1　CVD系统的组成

2.4.2　常见CVD系统

2.5　CVD反应过程控制

2.5.1　CVD反应的主要参数

2.5.2　CVD工艺参数及过程控制

2.6　CVD制备石墨烯概述

2.6.1　CVD制备石墨烯的发展历程

2.6.2　CVD制备石墨烯的分类

参考文献

第3章　石墨烯的成核与生长

3.1　石墨烯CVD生长过程

3.2　气相反应

3.3　甲烷的吸附与分解

3.4　活性基团

3.5　石墨烯的成核

3.6　石墨烯单晶的生长形状

3.6.1　Wulff构型

3.6.2　热力学平衡结构

3.6.3　动力学稳定性和生长行为

3.6.4　单晶形状的实验结果

参考文献

第4章　石墨烯单晶制备

4.1　石墨烯成核密度的控制

4.1.1　基底表面的影响

4.1.2　碳杂质的影响

4.1.3　温度的影响

4.1.4　甲烷和氢气的影响

4.1.5　限域生长

4.1.6　氧的影响

4.1.7　基底表面钝化

4.1.8　多级生长

4.1.9　定位成核

4.2　同取向外延生长

4.2.1　大面积Cu（111）单晶基底制备

4.2.2　石墨烯的外延生长

参考文献

第5章　石墨烯的层数控制

5.1　表面控制生长

5.1.1　共生长

5.1.2　面上生长

5.1.3　面下生长

5.1.4　影响石墨烯层数的因素

5.2　溶解度控制生长

5.2.1　降温速度控制

5.2.2　容量控制

5.2.3　溶解度控制

参考文献

第6章　石墨烯薄膜的转移

6.1　聚合物辅助基底刻蚀法

6.1.1　PDMS辅助转移

6.1.2　PMMA辅助转移

6.1.3　TRT辅助转移

6.2　聚合物辅助剥离法

6.2.1　机械剥离

6.2.2　电化学剥离转移

6.3　直接转移法

6.3.1　热层压法

6.3.2　静电吸附

6.3.3　“面对面”转移

6.3.4　自组装层

参考文献

第7章　面向工业应用的石墨烯薄膜制备

7.1　低温制备技术

7.1.1　TCVD法

7.1.2　PECVD法

7.2　非金属基底制备技术

7.2.1　半导体/绝缘介质基底

7.2.2　h-BN基底

7.2.3　玻璃基底

7.2.4　其他半导体或高k介质基底

7.3　大面积及工业化制备

7.3.1　片式制备

7.3.2　卷对卷制备与转移

参考文献

第8章　总结与展望

参考文献