芯片制造——半导体工艺与设备电子书

前言

第1章 导论

1.1 集成电路的发展历史

1.1.1 世界上第一个集成电路

1.1.2 摩尔定律

1.1.3 集成电路的产业发展规律与节点

1.1.4 摩尔定律的终结或超摩尔时代

1.2 集成电路产业的发展

1.2.1 集成电路产业链

1.2.2 晶圆代工

1.2.3 集成电路产业结构变迁

参考文献

第2章 集成电路制造工艺及

2.1 集成电路制造技术

2.1.1 芯片制造

2.1.2 工艺划分

2.1.3 工艺技术路线

2.2 集成电路生产线发展的历程与设计

2.2.1 国外集成电路生产线发展情况

2.2.2 国内集成电路生产线发展情况

2.2.3 集成电路生产线的工艺设计

2.3 集成电路生产线的洁净系统

2.3.1 洁净室系统

2.3.2 空调系统

2.3.3 循环冷却水系统

2.3.4 真空系统

2.3.5 排气系统

2.4 集成电路生产线的发展趋势

参考文献

第3章 晶圆制备与加工

3.1 简介

3.2 硅 材 料

3.2.1 为什么使用硅材料

3.2.2 晶体结构与晶向

3.3 晶圆制备

3.3.1 直拉法与直拉单晶炉

3.3.2 区熔法与区熔单晶炉

3.4 晶圆加工与设备

3.4.1 滚磨

3.4.2 切断

3.4.3 切片

3.4.4 硅片退火

3.4.5 倒角

3.4.6 研磨

3.4.7 抛光

3.4.8 清洗与包装

参考文献

第4章 加热工艺与设备

4.1 简介

4.2 加热单项工艺

4.2.1 氧化工艺

4.2.2 扩散工艺

4.2.3 退火工艺

4.3 加热工艺的硬件设备

4.3.1 扩散设备

4.3.2 高压氧化炉

4.3.3 快速退火处理设备

参考文献

第5章 光刻工艺与设备

5.1 简介

5.2 光 刻 工 艺

5.3 光掩模与光刻胶材料

5.3.1 光掩模的发展

5.3.2 光掩模基板材料

5.3.3 匀胶铬版光掩模

5.3.4 移相光掩模

5.3.5 极紫外光掩模

5.3.6 光刻胶

5.3.7 光刻胶配套试剂

5.4 光 刻 设 备

5.4.1 光刻技术的发展历程

5.4.2 接触/接近式光刻机

5.4.3 步进重复光刻机

5.4.4 步进扫描光刻机

5.4.5 浸没式光刻机

5.4.6 极紫外光刻机

5.4.7 电子束光刻系统

5.4.8 纳米电子束直写系统

5.4.9 晶圆片匀胶显影设备

5.4.10 湿法去胶系统

参考文献

第6章 刻蚀工艺及设备

6.1 简介

6.2 刻 蚀 工 艺

6.2.1 湿法刻蚀和清洗

6.2.2 干法刻蚀和清洗

6.3 湿法刻蚀与清洗设备

6.3.1 槽式晶圆片清洗机

6.3.2 槽式晶圆片刻蚀机

6.3.3 单晶圆片湿法设备

6.3.4 单晶圆片清洗设备

6.3.5 单晶圆片刻蚀设备

6.4 干法刻蚀设备

6.4.1 等离子体刻蚀设备的分类

6.4.2 等离子体刻蚀设备

6.4.3 反应离子刻蚀设备

6.4.4 磁场增强反应离子刻蚀设备

6.4.5 电容耦合等离子体刻蚀设备

6.4.6 电感耦合等离子体刻蚀设备

参考文献

第7章 离子注入工艺及设备

7.1 简介

7.2 离子注入工艺

7.2.1 基本原理

7.2.2 离子注入主要参数

7.3 离子注入设备

7.3.1 基本结构

7.3.2 设备技术指标

7.4 损伤修复

参考文献

第8章 薄膜生长工艺及设备

8.1 简介

8.2 薄膜生长工艺

8.2.1 物理气相沉积及溅射工艺

8.2.2 化学气相沉积工艺

8.2.3 原子层沉积工艺

8.2.4 外延工艺

8.3 薄膜生长设备

8.3.1 真空蒸镀设备

8.3.2 直流物理气相沉积设备

8.3.3 射频物理气相沉积设备

8.3.4 磁控溅射设备

8.3.5 离子化物理气相沉积设备

8.3.6 常压化学气相沉积设备

8.3.7 低压化学气相沉积设备

8.3.8 等离子体增强化学气相沉积设备

8.3.9 原子层沉积设备

8.3.10 分子束外延系统

8.3.11 气相外延系统

8.3.12 液相外延系统

参考文献

第9章 封装工艺及设备

9.1 简介

9.2 芯片级封装

9.2.1 圆片减薄机

9.2.2 砂轮划片机

9.2.3 激光划片机

9.3 元器件级封装

9.3.1 粘片机

9.3.2 引线键合机

9.4 板卡级封装

9.4.1 塑封机

9.4.2 电镀及浸焊生产线

9.4.3 切筋成型机

9.4.4 激光打印设备

参考文献