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芯片制造——半导体工艺与设备电子书

本书是围绕国家集成电路发展重大需求,根据《国家集成电路产业发展推纲要》,由机械工业出版社组织编著的“集成电路关键技术丛书”之一。 集成电路是半导体产业*核心且技术含量*高的领域,是现代信息社会的基础,也是我国必须掌握的核心技术之一。集成电路产业包括设计、制造和封测三大方面。而制造工艺与设备则是集成电路设计*终的落地。本书首先讲述了半导体产业变化漫长历史中的工艺和设备,再按照集成电路典型制造工艺流程来讲述硅的氧化、光刻、刻蚀、半导体掺杂和淀积等主要工艺。在讲述工艺的同时将工艺需求和设备性能的技术关系也行论述。总而言之,本书将系统地阐述了半导体制造的主要工艺流程,并在此基础上,将对实现主要工艺的半导体制造设备从其结构和原理行剖析,使本书更加具有实际的工业应用价值。

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作       者:陈译,陈铖颖,张宏怡

出  版  社:机械工业出版社

出版时间:2022-04-08

字       数:12.4万

所属分类: 教育 > 大中专教材 > 成人/中高职教材

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本书着重介绍了半导体制造设备,并从实践的角度出发,选取了具有代表性的设备行讲解。为了让读者加深对各种设备用途的理解,采用了一边阐述半导体制造工艺流程、一边说明各制造工艺中所使用的制造设备及其结构和原理的讲解方式,力求使读者能够系统性地了解整个半导体制造的体系。本书可作为从事集成电路工艺与设备方面工作的工程技术人员,以及相关研究人员的参考用书,也可作为高等院校微电子、集成电路相关专业的规划教材和教辅用书。<br/>【推荐语】<br/>本书是围绕国家集成电路发展重大需求,根据《国家集成电路产业发展推纲要》,由机械工业出版社组织编著的“集成电路关键技术丛书”之一。 集成电路是半导体产业*核心且技术含量*高的领域,是现代信息社会的基础,也是我国必须掌握的核心技术之一。集成电路产业包括设计、制造和封测三大方面。而制造工艺与设备则是集成电路设计*终的落地。本书首先讲述了半导体产业变化漫长历史中的工艺和设备,再按照集成电路典型制造工艺流程来讲述硅的氧化、光刻、刻蚀、半导体掺杂和淀积等主要工艺。在讲述工艺的同时将工艺需求和设备性能的技术关系也行论述。总而言之,本书将系统地阐述了半导体制造的主要工艺流程,并在此基础上,将对实现主要工艺的半导体制造设备从其结构和原理行剖析,使本书更加具有实际的工业应用价值。<br/>【作者】<br/>陈译,副教授,男,厦门理工学院,获得日本国立琉球大学电气电子工学专业博士学位,厦门市双百人才,于2010年4月日本三垦电气株式会社,从事功率半导体器件(IGBT、MOSFET、SiC SBD、SiC MOSFET)的研发与产业化,经历了先功率半导体产业和技术发展的重要过程,参与或领导团队研发了30个品种以上的功率器件并实现产业化。其主持研制的IGBT、MOSFET芯片已卖出数百万片(其中IGBT芯片主要供货给格力电器),总产值超过20亿日元。截止目前,拥有授权和受理发明专利50余项,实用新型10余项,发表科研论文15篇。在面向工业和车规级的高端功率器件研发及量产方面经验丰富,尤其擅长高端IGBT、Split-gate MOSFET、SiC功率器件的研究。主要成果:1)发明新型结构沟槽肖特基二极管,综合性能比市面通用量产产品高出20%,并申报多项日本发明专利;2)设计完成基于第六代沟槽场终止型(Field Stop)IGBT,并实现批量生产;3)设计完成深槽分裂栅结构IGBT,综合性能领先于目前国际*高水平并实现工程流片成功;4)主持完成丰田汽车高可靠性车载应用功率MOSFET设计和制造;5)设计发1200V级SiC MOSFET器件并实现工程流片成功。上述均属于国内创性或者领先水平的成果,综合性能达到甚至领先于国际同类产品,具有巨大的技术和商业价值。<br/>
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前言

第1章 导论

1.1 集成电路的发展历史

1.1.1 世界上第一个集成电路

1.1.2 摩尔定律

1.1.3 集成电路的产业发展规律与节点

1.1.4 摩尔定律的终结或超摩尔时代

1.2 集成电路产业的发展

1.2.1 集成电路产业链

1.2.2 晶圆代工

1.2.3 集成电路产业结构变迁

参考文献

第2章 集成电路制造工艺及

2.1 集成电路制造技术

2.1.1 芯片制造

2.1.2 工艺划分

2.1.3 工艺技术路线

2.2 集成电路生产线发展的历程与设计

2.2.1 国外集成电路生产线发展情况

2.2.2 国内集成电路生产线发展情况

2.2.3 集成电路生产线的工艺设计

2.3 集成电路生产线的洁净系统

2.3.1 洁净室系统

2.3.2 空调系统

2.3.3 循环冷却水系统

2.3.4 真空系统

2.3.5 排气系统

2.4 集成电路生产线的发展趋势

参考文献

第3章 晶圆制备与加工

3.1 简介

3.2 硅 材 料

3.2.1 为什么使用硅材料

3.2.2 晶体结构与晶向

3.3 晶圆制备

3.3.1 直拉法与直拉单晶炉

3.3.2 区熔法与区熔单晶炉

3.4 晶圆加工与设备

3.4.1 滚磨

3.4.2 切断

3.4.3 切片

3.4.4 硅片退火

3.4.5 倒角

3.4.6 研磨

3.4.7 抛光

3.4.8 清洗与包装

参考文献

第4章 加热工艺与设备

4.1 简介

4.2 加热单项工艺

4.2.1 氧化工艺

4.2.2 扩散工艺

4.2.3 退火工艺

4.3 加热工艺的硬件设备

4.3.1 扩散设备

4.3.2 高压氧化炉

4.3.3 快速退火处理设备

参考文献

第5章 光刻工艺与设备

5.1 简介

5.2 光 刻 工 艺

5.3 光掩模与光刻胶材料

5.3.1 光掩模的发展

5.3.2 光掩模基板材料

5.3.3 匀胶铬版光掩模

5.3.4 移相光掩模

5.3.5 极紫外光掩模

5.3.6 光刻胶

5.3.7 光刻胶配套试剂

5.4 光 刻 设 备

5.4.1 光刻技术的发展历程

5.4.2 接触/接近式光刻机

5.4.3 步进重复光刻机

5.4.4 步进扫描光刻机

5.4.5 浸没式光刻机

5.4.6 极紫外光刻机

5.4.7 电子束光刻系统

5.4.8 纳米电子束直写系统

5.4.9 晶圆片匀胶显影设备

5.4.10 湿法去胶系统

参考文献

第6章 刻蚀工艺及设备

6.1 简介

6.2 刻 蚀 工 艺

6.2.1 湿法刻蚀和清洗

6.2.2 干法刻蚀和清洗

6.3 湿法刻蚀与清洗设备

6.3.1 槽式晶圆片清洗机

6.3.2 槽式晶圆片刻蚀机

6.3.3 单晶圆片湿法设备

6.3.4 单晶圆片清洗设备

6.3.5 单晶圆片刻蚀设备

6.4 干法刻蚀设备

6.4.1 等离子体刻蚀设备的分类

6.4.2 等离子体刻蚀设备

6.4.3 反应离子刻蚀设备

6.4.4 磁场增强反应离子刻蚀设备

6.4.5 电容耦合等离子体刻蚀设备

6.4.6 电感耦合等离子体刻蚀设备

参考文献

第7章 离子注入工艺及设备

7.1 简介

7.2 离子注入工艺

7.2.1 基本原理

7.2.2 离子注入主要参数

7.3 离子注入设备

7.3.1 基本结构

7.3.2 设备技术指标

7.4 损伤修复

参考文献

第8章 薄膜生长工艺及设备

8.1 简介

8.2 薄膜生长工艺

8.2.1 物理气相沉积及溅射工艺

8.2.2 化学气相沉积工艺

8.2.3 原子层沉积工艺

8.2.4 外延工艺

8.3 薄膜生长设备

8.3.1 真空蒸镀设备

8.3.2 直流物理气相沉积设备

8.3.3 射频物理气相沉积设备

8.3.4 磁控溅射设备

8.3.5 离子化物理气相沉积设备

8.3.6 常压化学气相沉积设备

8.3.7 低压化学气相沉积设备

8.3.8 等离子体增强化学气相沉积设备

8.3.9 原子层沉积设备

8.3.10 分子束外延系统

8.3.11 气相外延系统

8.3.12 液相外延系统

参考文献

第9章 封装工艺及设备

9.1 简介

9.2 芯片级封装

9.2.1 圆片减薄机

9.2.2 砂轮划片机

9.2.3 激光划片机

9.3 元器件级封装

9.3.1 粘片机

9.3.2 引线键合机

9.4 板卡级封装

9.4.1 塑封机

9.4.2 电镀及浸焊生产线

9.4.3 切筋成型机

9.4.4 激光打印设备

参考文献

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