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内容简介
序言
前言
第1章 薄膜晶体管（TFT）用于平板显示
1.1 TFT用于液晶平板显示
1.1.1 LCD显示技术原理
1.1.2 矩阵显示
1.1.3 AMLCD显示技术对TFT特性的要求
1.2 TFT用于OLED平板显示
1.2.1 有机发光二极管（OLED）
1.3 TFT的SPICE建模与仿真
1.3.1 SPICE仿真与建模
参考文献
第2章 a-Si:H TFT的结构、工艺与器件物理
2.1 平板显示用a-Si:H TFT的结构与工艺
2.2 a-Si:H TFT器件的电学特性
2.2.1 栅极（Gate）正向偏置
参考文献
第3章 a-Si:H TFT的SPICE模型
3.1 DC模型
3.1.1 a-Si:H TFT开启前
3.2 AC模型
参考文献
第4章 低温多晶硅（LTPS）TFT的结构、工艺与器件物理
4.1 缓冲层以及a-Si层
4.1.1 薄膜的沉积
4.2 LTPS层
4.3 LTPS薄膜的电学特性
4.4 传统的固相结晶技术（SPC）
4.5 金属诱导结晶（MIC）
4.6 TFT沟道与N-TFT源/漏的形成
4.7 栅绝缘（GI）层
4.8 p型TFT源/漏与n型TFT LDD的形成
4.9 层间介质层（Interlayer Dielectric Film, ILD）
4.10 信号线（Data line）
4.11 LTPS TFT器件的电学性质
4.11.1 栅极正向偏置
参考文献
第5章 LTPS TFT的SPICE模型
5.1 DC模型
5.1.1 TFT有效开启电压的表达式
5.2 AC模型
参考文献
第6章 IGZO TFT的结构、工艺与器件物理
6.1 IGZO工艺概述
6.2 平板显示用IGZO TFT的结构
6.3 IGZO TFT的电学特性
6.3.1 栅极正向偏置
参考文献
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