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丛书序
前言
第1章 绪论
1.1 半导体集成电路的发展过程
1.2 半导体集成电路的分类
1.3 半导体集成电路的发展特点
1.4 半导体集成电路可靠性评估体系
参 考 文 献
第2章 半导体集成电路的基本工艺
2.1 氧化工艺
2.2 化学气相沉积法制备薄膜
2.3 扩散掺杂工艺
2.4 离子注入工艺
2.5 光刻工艺
2.6 金属化工艺
参 考 文 献
第3章 缺陷的来源和控制
3.1 缺陷的基本概念
3.2 引起缺陷的污染物
3.3 引起缺陷的污染源
3.4 缺陷管理
3.5 降低外来污染物的措施
3.6 工艺成品率
参 考 文 献
第4章 半导体集成电路制造工艺
4.1 半导体集成电路制造的环境要求
4.2 CMOS集成电路的基本制造工艺
4.3 Bi-CMOS工艺
参 考 文 献
第5章 半导体集成电路的主要失效机理
5.1 与芯片有关的失效机理
5.2 与封装有关的失效机理
5.3 与应用有关的失效机理
参 考 文 献
第6章 可靠性数据的统计分析基础
6.1 可靠性的定量表征
6.2 寿命试验数据的统计分析
6.3 恒定加速寿命试验数据的统计分析
参 考 文 献
第7章 半导体集成电路的可靠性评价
7.1 可靠性评价技术
7.2 PCM（Process Control Monitor，工艺控制监测）技术
7.3 交流波形的可靠性评价技术
7.4 圆片级可靠性评价技术
7.5 生产线的质量管理体系
参 考 文 献
第8章 可靠性测试结构的设计
8.1 版图的几何设计规则
8.2 层次化版图设计
8.3 等比例缩小规则
8.4 测试结构的设计
参 考 文 献
第9章 MOS场效应晶体管的特性
9.1 MOS场效应晶体管的基本特性
9.2 MOS电容的高频特性
9.3 MOSFET的温度特性
参 考 文 献
第10章 集成电路的可靠性仿真
10.1 BTABERT的仿真过程及原理
10.2 门电路的HCI效应测量
10.3 门电路的模拟仿真
10.4 基于MEDICI的热载流子效应仿真
参 考 文 献
第11章 集成电路工艺失效机理的可靠性评价
11.1 可靠性评价试验要求和接收目标
11.2 热载流子注入效应
11.3 与时间有关的栅介质击穿
11.4 金属互连线的电迁移
11.5 PMOSFET负偏置温度不稳定性
参 考 文 献
主要符号表
英文缩略词及术语
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